IT之家12月9日消息，据《韩国经济日报》当地时间8日报道，SK海力士将在其下一代(V10)NAND闪存中首次应用混合键合技术，而V10产品的堆叠层数将在300+级别。
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启泰网NAND 闪存传统上是以单片晶圆制造存储阵列(Cell)和外围电路(Cell)，但随着层数的增加，外围电路在堆叠加工中出现故障损坏的风险也同步走高。
在长江存储、铠侠-闪迪的混合键合工艺NAND中，Cell和Peri在两块晶圆上分别制造，最后再键合为一体。这有利于外围电路良率的保持，且有助于缩短生产时间、提升NAND整体性能。不过，实现高密度I/O连接的混合键合过程本身也相当复杂。
报道指出启泰网，SK海力士正在开发300+层堆叠的V10NAND(IT之家注：现有V9NAND为321层)，计划明年完成研发、2027年初量产。
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